11月10日下午，美国工程院院士胡正明教授应我校电子工程学院邀请，在育才校区理科综合楼101会议室作了题为“FinFET—a University Innovation Takes Over the Semiconductor World”的学术报告，电子工程学院罗晓曙教授主持报告会，电子工程学院优秀教师、全体研究生和部分本科生参加了报告会。

      会上，胡正明教授结合自己在微电子科学技术的研究工作，围绕国际上极受注目的FinFET新结构器件这项发明展开，详细地介绍了FinFET新结构器件的原理与结构，并对其发展做了展望。期间，胡教授还穿插了自己的一些研究实例，主要强调了科研要结合企业，朝真正有用的方向进行。然后，胡正明教授就自己在科研工作中多年的经验，对同学们在科研中的方法作了详细的探讨，并提出了建设性的建议。他对学生讲了自己的感悟：用兴趣激发热情，专注研究，积累小的成功，无数遍的尝试已达到更好；多学习不同领域的知识，因为创新往往来自于跨领域的。在报告会的最后，老师和同学结合自己的研究领域就相关问题与胡正明教授进行了深入交流。胡教授的演讲深入浅出，趣味性强，使同学受益匪浅。讲座在热烈的气氛中结束。

      通过此次报告会，加强了师生对微电子器件研究的认识和理解，同时对电子专业方向拓宽视野和具体思路具有重要意义，更激发了学生们学好专业知识的动力和服务社会的决心。

附胡正明院士简介：
       胡正明（Chenming Hu）教授，微电子学家。1947年7月出生于中国北京。1973年获得美国加州大学伯克利分校博士学位。现任美国加州大学伯克利分校杰出讲座教授、北京大学计算机科学技术系兼职教授、中国科学院微电子所荣誉教授、台湾交通大学（新竹）微电子器件荣誉教授、1991-1994年任清华大学（北京）微电子研究所荣誉教授。1997年当选为美国工程科学院院士。2007年当选中国科学院外籍院士。胡正明教授是微电子微型化物理及可靠性物理研究的一位重要开拓者，对半导体器件的开发及未来的微型化做出了重大贡献。

      主要科技成就为：领导研究出BSIM，从实际MOSFET晶体管的复杂物理推演出数学模型，该数学模型于1997年被国际上38家大公司参与的晶体管模型理事会选为设计芯片的第一个且唯一的国际标准；发明了在国际上极受注目的FinFET等多种新结构器件；对微电子器件可靠性物理研究贡献突出；首先提出热电子失效的物理机制，开发出碰撞电离电流快速预测器件寿命的方法，并且提出薄氧化层失效的物理机制和用高电压快速预测薄氧化层寿命的方法。首创了在器件可靠性物理的基础上的IC可靠性的计算机数值模拟工具。

 

    作    者：电子工程学院 周 虹
    发布单位：电子工程学院

胡正明教授正在给师生们作报告

胡正明教授与师生们合影